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Transistor - PNP (BC558B) · imagen 1
Components

Transistor - PNP (BC558B)

sku COM-CB71361 · categoríacategory components

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specs

$ cat specs.txt

tipotype
PNPPNP
encapsuladopackage
TO-92TO-92
voltaje colector-emisor (vceo)collector-emitter voltage (vceo)
30V30V
corriente de colector (ic)collector current (ic)
100mA100mA
disipación de potencia (pd)power dissipation (pd)
625mW625mW
ganancia de corriente dcdc current gain
180@2mA,5V180@2mA,5V
frecuencia de transición (ft)transition frequency (ft)
150MHz150MHz
voltaje de saturación vce(sat)saturation voltage vce(sat)
650mV650mV
corriente de corte del colectorcollector cutoff current
100nA100nA
materialmaterial
SilicioSilicon

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cat README.md

Este es el BC558B, un BJT (transistor de unión bipolar) PNP de silicio. Este pequeño transistor puede utilizarse en su proyecto para conmutar o amplificar señales de baja corriente, a menudo en aplicaciones de audio, de bajo ruido o de propósito general. El BC558B tiene una especificación de −30 V y −100 mA máx..

Especificaciones

  • Encapsulado TO-92
  • Corriente de corte del colector 100nA
  • Voltaje colector-emisor VCEO 30V
  • Ganancia de corriente DC 180@2mA,5V
  • Pd - Disipación de potencia 625mW
  • Temperatura de operación -
  • Corriente de colector (Ic) 100mA
  • Frecuencia de transición (fT) 150MHz
  • Voltaje de saturación Vce (VCE(sat)) 650mV
  • Tipo PNP

Documentos:

This is the BC558B, a PNP silicon BJT (Bipolar Junction Transistor). This small transistor can be used in your project for switching or amplifying low current signals, often in audio, low-noise, or general-purpose applications. The BC558B is specifically rated at −30 V and −100 mA max.

Specifications

  • Package TO-92
  • Current - Collector Cutoff 100nA
  • Collector - Emitter Voltage VCEO 30V
  • DC Current Gain 180@2mA,5V
  • Pd - Power Dissipation 625mW
  • Operating Temperature -
  • Current - Collector(Ic) 100mA
  • Transition frequency(fT) 150MHz
  • Vce Saturation(VCE(sat)) 650mV
  • type PNP

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