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N-Channel MOSFET IRF520N · imagen 1
Components

N-Channel MOSFET IRF520N

sku COM-CB0599M · categoríacategory components

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specs

$ cat specs.txt

tipotype
MOSFET canal NN-channel MOSFET
encapsuladopackage
TO-220TO-220
corriente de drenaje continua (vgs @ 10v, tc = 25°c)continuous drain current (vgs @ 10v, tc = 25°c)
9.7A9.7A
disipación de potencia (tc = 25°c)power dissipation (tc = 25°c)
48W48W
voltaje compuerta-fuente (vgs)gate-source voltage (vgs)
± 20V± 20V
rds(on)rds(on)
0.20Ω máx.0.20Ω max.

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cat README.md

Este MOSFET utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Combinado con la alta velocidad de conmutación y el diseño robusto por los que son bien conocidos los MOSFET de potencia, ofrece al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El encapsulado TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales e industriales con niveles de disipación de potencia de hasta aproximadamente 50 watts. La baja resistencia térmica y el bajo costo del encapsulado TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

Características eléctricas:

  • Corriente de drenaje continua, VGS @ 10V(IDS @ TC = 25°C): 9.7A
  • Disipación de potencia(PD @TC = 25°C): 48W
  • Voltaje compuerta-fuente(VGS): ± 20V
  • Resistencia estática drenaje-fuente en conducción(RDS(on)): 0.20Ω máx.

to22.png

Documentos:

This mosfet utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combined with the fast switching speed and ruggedized device Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry

Electrical characteristics:

  • Continuous Drain Current, VGS @ 10V(IDS @ TC = 25°C): 9.7A
  • Power Dissipation(PD @TC = 25°C): 48W
  • Gate-to-Source Voltage(VGS): ± 20V
  • Static Drain-to-Source On-Resistance(RDS(on)): 0.20Ω max

to22.png

Documents: