img 1/1
IGBT transistor 650V - 30A · imagen 1
Components

IGBT transistor 650V - 30A

sku COM-CB65T15 · categoríacategory components

$2.95+iva+VAT
precio en USD
factura o tiquete electrónico
price in USD
electronic invoice or receipt

en stockin stock — envíos desde San José— ships from San José

cantidadquantity

antes de comprarbefore you buy
  • [✓] Envío desde San José, CR: por Correos de Costa Rica, o retiro en Centro Colón. Costo y plazo en el checkout.Ships from San José, CR: by Correos de Costa Rica, or pickup at Centro Colón. Cost and timing at checkout.
  • [✓] Envío gratis con Correos en pedidos desde $200.00 antes de IVA.Free shipping by Correos on orders of $200.00 or more before VAT.
  • [✓] Factura electrónica: pídala en el checkout con su cédula o la de su empresa.Electronic invoice: ask for it at checkout with your ID or your company's.
  • [✓] PagoPayment: Tarjeta de crédito o débito (Tilopay)Credit or debit card (Tilopay) · Compra-Click (enlace de pago por correo)Compra-Click (payment link by email) · Pagar al retirar en Centro Colón (datáfono)Pay at pickup in Centro Colón (card terminal) · SINPE MóvilSINPE Móvil · Depósito o transferencia bancariaBank deposit or transfer.
  • [✓] CuentaAccount: para comprar se inicia sesión.needed to check out. Crear cuentaCreate an account
  • [✓] ¿Dudas?Questions? contacto y soportecontact and support
specs

$ cat specs.txt

modelomodel
DGTD65T15H2TFDGTD65T15H2TF
voltaje colector-emisor (vce)collector-emitter voltage (vce)
650V650V
corriente dc de colector (ic)dc collector current (ic)
30A30A
corriente de colector pulsadapulsed collector current
60A60A
corriente directa del diodo (if)diode forward current (if)
30A30A
voltaje compuerta-emisor (vge)gate-emitter voltage (vge)
±20V±20V
tiempo de resistencia a cortocircuito (tsc)short-circuit withstand time (tsc)
5us5us
temperatura máxima de uniónmaximum junction temperature
+175°C+175°C
tecnologíatechnology
Field Stop Trench IGBTField Stop Trench IGBT
cumplimientocompliance
RoHS, libre de plomo, halógenos y antimonioRoHS, lead-free, halogen-free and antimony-free

a agregar al carritoadd to cart← → fotosphotosg c ir al carritogo to cart

cat README.md

El DGTD65T15H2TF se fabrica con la avanzada tecnología Field Stop Trench IGBT, que ofrece alto desempeño, excelente calidad y alta robustez.

Características

  • Alta robustez para control de motores
  • Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)
  • Diodo antiparalelo de recuperación muy suave y rápida
  • Baja EMI
  • Temperatura máxima de unión +175°C
  • Acabado libre de plomo; cumple con RoHS (Notas 1 y 2)
  • Libre de halógenos y antimonio. Dispositivo “Green” (Nota 3)

Características eléctricas

  • Voltaje colector-emisor (VCE): 650V
  • Corriente DC de colector (Ic): 30A
  • Corriente de colector pulsada (Icplus): 60A 
  • Corriente directa del diodo (IF): 30A
  • Voltaje compuerta-emisor (VGE): +- 20V
  • Tiempo de resistencia a cortocircuito (tsc): 5us

Distribución de pines
com-cb65t15-pinout.png

Documentos

Hoja de datos

The DGTD65T15H2TF is produced using advanced Field Stop Trench IGBT Technology, which provides high-performance, excellent quality, and high ruggedness.

Features

  • High Ruggedness for Motor Control
  • VCE(sat) Positive Temperature Coefficient
  • Very Soft, Fast Recovery Anti-Parallel Diode
  • Low EMI
  • Maximum Junction Temperature +175°C
  • Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
  • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

Electrical Characteristics

  • Collector-Emitter Voltage (VCE): 650V
  • DC Collector Curren (Ic): 30A
  • Current - Collector Pulsed (Icplus): 60A 
  • Diode Forward Current (IF): 30A
  • Gate-Emitter Voltage (VGE): +- 20V
  • Short Circuit Withstand Time (tsc): 5us

Pinout
com-cb65t15-pinout.png

Documents

Datasheet

IGBT transistor 650V - 30A - CRCibernética