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FQPF8N60C QFET transistor · imagen 1
Components

FQPF8N60C QFET transistor

sku COM-CB0671 · categoríacategory components

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specs

$ cat specs.txt

corriente de drenador (id)drain current (id)
7.5 A7.5 A
voltaje drenador-fuente (vds)drain-source voltage (vds)
600 V máx.600 V max.
tipotype
MOSFET (QFET)MOSFET (QFET)

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cat README.md

Esta avanzada tecnología MOSFET ha sido especialmente diseñada para reducir la resistencia en estado de conducción y para brindar un desempeño de conmutación superior y una alta resistencia a la energía de avalancha.  

Un transistor de efecto de campo cuántico (QFET) es un tipo de transistor de efecto de campo que aprovecha el efecto túnel cuántico para aumentar considerablemente la velocidad de operación del transistor al eliminar el área de conducción de electrones del transistor tradicional.

 Aplicaciones

Estos dispositivos son adecuados para fuentes de poder conmutadas, corrección activa del factor de potencia (PFC) y balastros electrónicos para lámparas.

Detalles técnicos

Corriente de drenador (ID): 7.5 A

Voltaje drenador-fuente (VDS): 600 V máx.

Documentos

Hoja de datos

 

This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength.  

A quantum field effect transistor (QFET) is a kind of field-effect transistor that takes advantage of quantum tunneling to greatly increase the speed of transistor operation by eliminating the traditional transistor's area of electron conduction.

 Applications

These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Technical Details

Drain Current (ID): 7.5 A

Drain Source Voltage (VDS): 600 V max

Documents

Datasheet