2N6027 UJT
sku COM-CB6027 · categoríacategory components
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- tipotype
- Transistor uniunión programable (PUT)Programmable unijunction transistor (PUT)
- voltaje directo compuerta-cátodo (vgkf)gate-cathode forward voltage (vgkf)
- 40V40V
- voltaje inverso compuerta-cátodo (vgkr)gate-cathode reverse voltage (vgkr)
- -5V-5V
- voltaje inverso compuerta-ánodo (vgar)gate-anode reverse voltage (vgar)
- 40V40V
- corriente directa de ánodo dc (it)dc anode forward current (it)
- 150mA150mA
- corriente de compuerta dc (ig)dc gate current (ig)
- +-50mA+-50mA
- temperatura de operación de la unión (tj)junction operating temperature (tj)
- –50 ~ +100 °C–50 ~ +100 °C
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El UTC 2N6027 es un transistor uniunión programable; utiliza la tecnología avanzada de UTC para ofrecer a los clientes bajo voltaje directo, baja corriente de fuga de compuerta a ánodo, bajo voltaje de offset y alto voltaje pico de salida, entre otros. El UTC 2N6027 es adecuado para circuitos de temporización, disparo de tiristores, osciladores y circuitos de pulsos, entre otros.
Características
- Bajo voltaje directo
- Bajo voltaje de offset
- Baja corriente de fuga de compuerta a ánodo
- Alto voltaje pico de salida
Características eléctricas
- Voltaje directo compuerta-cátodo ( VGKF ): 40V
- Voltaje inverso compuerta-cátodo ( VGKR ): -5V
- Voltaje inverso compuerta-ánodo ( VGAR ): 40V
- Corriente directa de ánodo en DC ( IT ): 150mA
- Corriente de compuerta en DC ( IG ): +-50mA
- Rango de temperatura de operación de la unión ( TJ ): –50 ~ +100 °C
Distribución de pines
Documentos
The UTC 2N6027 is a programmable unijunction transistor, it uses UTC’s advanced technology to provide customers with low forward voltage, low gate to anode leakage current, low offset voltage and high peak output voltage, etc. The UTC 2N6027 is suitable for timing, thyristor-trigger, oscillator and pulse circuits, etc.
Features
- Low Forward Voltage
- Low Offset Voltage
- Low Gate to Anode Leakage Current
- High Peak Output Voltage
Electrical Characteristics
- Gate to Cathode Forward Voltage ( VGKF ): 40V
- Gate to Cathode Reverse Voltage ( VGKR ): -5V
- Gate to Anode Reverse Voltage ( VGAR ): 40V
- DC Forward Anode Current ( IT ): 150mA
- DC Gate Current ( IG ): +-50mA
- Operating Junction Temperature Range ( TJ ): –50 ~ +100 °C
